8月1日起，我國對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制。公告中指出，鎵相關(guān)物項包含氮化鎵、砷化鎵、銦鎵砷等；鍺相關(guān)物項包含磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺等。上述均為半導體材料，且中國在這些方面產(chǎn)量巨大。對這些材料出口進行限制，既是對美國發(fā)起的科技戰(zhàn)、貿(mào)易戰(zhàn)進行反制，也是對美國軍事力量的遏制。

早在2016年，美國外商投資委員會否決了中國投資者以29億收購飛利浦旗下子公司的照明業(yè)務(wù)的提議，《紐約時報》刊登題為《美國對中國芯片雄心的擔憂與日俱增》的文章，文章中稱，“中國正投入巨資打造本國半導體產(chǎn)業(yè)，這一提升其軍事力量及本土科技產(chǎn)業(yè)的舉動引起華盛頓的注意”。

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美國政府要阻止的并非中國投資人所收購的照明業(yè)務(wù)本身，而是要阻止中國投資人通過收購飛利浦旗下子公司的照明業(yè)務(wù)后，進而掌握第三代半導體材料氮化鎵的相關(guān)技術(shù)。

半導體材料發(fā)展至今已歷三代：第一代半導體材料以鍺和硅為代表，被廣泛運用于集成電路制造領(lǐng)域；第二代半導體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，主要應(yīng)用于以光發(fā)射器件為基礎(chǔ)的光顯示、光通信和光存儲等光電子系統(tǒng)；第三代半導體材料則以氮化鎵、碳化硅、金剛石為代表，具有具有寬的帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、高熔點、耐腐蝕等優(yōu)點。

特別是在傳統(tǒng)材料的功率器件發(fā)展到材料極限，已經(jīng)很難滿足高頻、高溫、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情況下，氮化鎵則可憑借其材料特性，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面取而代之。

必須說明的是，氮化鎵在高頻大功率應(yīng)用方面，其功率密度是現(xiàn)有的砷化鎵材料器件的10倍，不僅可以廣泛運用于通信基站、電動機車、電動汽車、風力發(fā)電等民用領(lǐng)域，還可以用于相控陣雷達等特殊領(lǐng)域。使用氮化鎵材料的新型有源相控陣雷達，其探測距離可以提升至原本的2倍左右！

在信息化戰(zhàn)爭時代，基本上是發(fā)現(xiàn)即摧毀。在俄烏沖突中，俄羅斯因為信息化上的不足，吃了不少虧，這些都是血淋淋的教訓。一旦PLA的戰(zhàn)機和軍艦可以在更遠距離上發(fā)現(xiàn)敵方的戰(zhàn)機和軍艦，就可以先發(fā)制人，立于不敗之地。

根據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局（USGS）公布的數(shù)據(jù)，目前全球金屬鎵的儲量約為27.93萬噸，而中國的儲量最多，達到19萬噸，占全球儲量的68%左右。相比之下，美國的儲量只有0.45萬噸。

目前，其他幾個鎵金屬生產(chǎn)大國，已經(jīng)停止了鎵生產(chǎn)——哈薩克斯坦、匈牙利和烏克蘭分別于2013年、2015年和2019年停止鎵生產(chǎn)。德國于2016年停止生產(chǎn)，但在2021年又宣布要重啟生產(chǎn)線。至2021年，中國生產(chǎn)的鎵占比全球鎵產(chǎn)量已超90%。

當下，美國的盾艦普遍有30至40年的艦齡，電子設(shè)備嚴重老化，在對抗中，中國的KJ500可以遠距離發(fā)現(xiàn)F35，J20可以在F35毫無察覺的情況下鎖定對手，這些都表明PLA在雷達和隱身戰(zhàn)機對抗上處于世界頂尖水準。

正是因此，美國正著手對戰(zhàn)機和軍艦的電子設(shè)備進行大升級。據(jù)公開消息，美國將為F35為其換裝使用氮化鎵材料的AN/APG-85相控陣雷達。美媒表示，在換裝了AN/APG-85相控陣雷達之后，美國的F35隱身戰(zhàn)斗機將能夠和包括J20隱身戰(zhàn)斗機在內(nèi)的新時代空中威脅進行較量。

在這個關(guān)鍵時刻，我國對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制，將很大程度上會影響美軍戰(zhàn)機和軍艦的升級計劃，為我國產(chǎn)業(yè)升級、積攢軍力、提升國力爭取更多的時間。

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